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先锋科技(香港)股份有限公XK星空体育司

发布时间:2024-08-23 丨 浏览次数:

  星空体育app下载星空体育app下载星空体育app下载2024年8月15日,由北京卓立汉光仪器有限公司、北京怀柔仪器和传感器有限公司、先锋科技(香港)股份有限公司、无锡中镭光电科技有限公司联合举办的第五届“逐梦光电”国产光电分析仪器和核心技术研制与应用研讨会暨怀柔光电产业发展论坛的精彩报告继续进行。来自全国各大知名高校及研究院的近百名专家学者出席了本次会议。8月14日至15日,线万人,明日精彩继续,欢迎预约直播。▲昨日精彩回顾(点击查看)本次研讨会聚焦荧光、拉曼、条纹、分幅、iCMOS、成像光谱仪、2μm激光器、光机、自动化,磁光,压电,仪器联用等10余类产品以及钙钛矿,太阳能,二维材料,燃烧诊断,等离子体诊断,LIBS,半导体,激光物理等八大应用方向。会议期间,共进行了多场精彩纷呈的学术报告和专题研讨。今日,17位来自光电探测、磁光、荧光及超快等领域的专家学者分别就各自的研究领域作了深入的阐述,分享了最新的研究成果和经验。▲华中科技大学研究员——韩俊波华中科技大学韩俊波研究员做二维本征铁磁体的磁性调控及应用探索报告,二维磁性材料是基础磁学和新型存储器件研究重要平台,其宏观性质和微观磁畴密切相关。深入研究其微观磁畴的调控方法及其与宏观性质间的内在联系,对提升材料性能、优化器件结构、诱发新奇量子物性至关重要。韩老师课题组以二维Fe3GeTe2(Fe3GaTe2)为载体,采用低温显微磁光克尔技术,系统研究了二维Fe3GeTe2在界面、电流及磁场调控下铁磁增强特性。获得如下有趣实验结果:(1)在二维反铁磁/铁磁异质结中观测到“非局域”铁磁增强效应;(2)在二维Gr/ Fe3GeTe2/Gr中观测到电流诱导的拓扑磁光效应;(3)在二维单个Fe3GeTe2中同时实现了非易失性和易失性磁光存储。这些研究成果不仅增进了对二维磁性材料微观机制的理解,也为未来磁存储技术和自旋电子学的发展开辟了新方向。▲Clemson University Assistant Professor——Lianfeng Zhao 远在美国克莱姆森大学赵连锋助理教授通过国际直播平台,为国内外科研工作者做Metal Halide Perovskite Laser Diodes英文报告,赵老师聚焦于金属卤化物钙钛矿半导体这一多功能的杂化材料,该材料在推动下一代光伏与发光技术革新中展现出巨大潜力。报告重点阐述了团队在电泵浦钙钛矿激光二极管领域的最新突破,包括钙钛矿内光增益机制的深入研究,以及在极端电流条件下器件性能的优化策略。这些成果不仅增进了对该领域关键技术的理解,还为克服技术障碍、推动该技术变革性发展提供了宝贵见解。▲北京交通大学教授——梁春军北京交通大学梁春军教授做一种新型光伏发电技术_钙钛矿太阳能电池报告,介绍钙钛矿太阳能电池的基本器件结构,进展情况和未来趋势。▲北京大学研究员——康佳昊北京大学康佳昊研究员做显示器件的频率色散和集约模型报告,介绍了北京大学碳基电子学研究中心在显示器件建模方面的部分研究。报告核心内容涵盖三大方面:首先,简要介绍了碳基电子学的基本概念及碳基显示在未来显示技术中的潜力;其次,深入剖析了薄膜晶体管(TFT)的关键性能特征,包括界面态现象、偏压稳定性以及电容的频率色散行为,并据此构建了相应的集约模型,为TFT性能预测与优化提供了理论支持;最后,探讨了微型发光二极管(Micro-LED)在微缩化过程中的尺寸效应,详细分析了其电学与光学性能的频散特性,并建立了集约模型以准确描述这些特性,为Micro-LED显示技术的发展奠定了坚实基础。▲湖北众韦光电科技有限公司研发经理——戴宏伟湖北众韦光电科技有限公司戴宏伟博士做低温磁场下的微区磁光克尔及光谱测试报告,报告从磁性二维材料的磁光克尔研究出发,探讨低温磁场下的微区光谱测试面临的问题与解决方案,如设备稳定性、磁场干扰及高精度要求等,并随后提出了针对不同磁体和低温环境的定制化解决方案。这些方案旨在提升测试平台的易用性和稳定性,为磁光学研究提供强有力的技术支持。▲北京交通大学教授——张福俊北京交通大学张福俊教授做倍增型有机光电探测器报告,重点介绍倍增型有机光电探测器的工作。张老师课题组在2013开始探索全新机理的倍增型有机光电探测器,2015年报道了基于单载流子有源层制备出界面附近受陷电荷诱导能带弯曲的倍增型有机光电探测器,并通过器件工程实现响应范围可调、正、反向偏压下都能工作且响应范围可调的器件。并从有源层中载流子传输通道的调控入手,率先报道了一种具有单载流子传输特性的低暗电流、倍增型有机光电探测器。课题组还通过多元化的策略,包括三元材料体系、厚膜策略调控光场分布、精细的界面工程以及电极优化等,成功制备出响应范围更加灵活、支持双向偏压操作、具备双探测窗口及功能集成化特性的倍增型有机光电探测器。这些创新不仅丰富了倍增型有机光电探测器的设计思路,也为未来高性能光电探测技术的发展提供了宝贵的经验和启示。▲中国科学院半导体研究所青年研究员——郝宏玥中国科学院半导体研究所郝宏玥青年研究员做超表面锑化物红外探测器研究报告,锑化物红外探测材料体系晶格失配度低,能带结构灵活可调,是实现高性能红外探测的优选材料。郝老师课题组聚焦于超表面结构在锑化物红外探测器领域的研究进展,并展望相关技术在焦平面成像领域的应用。通过在单波段锑化物红外探测其基础上,通过超表面结构设计及高精度图形转移技术,实现波长调制型可见-红外探测器制备,及片上集成多谱段红外探测芯片制备,为新一代宽光谱、多谱段红外焦平面探测阵列提供技术基础。▲浙江大学教授——何海平浙江大学何海平教授做钙钛矿发光:材料、器件及应用报告,全面概述了卤化物钙钛矿材料因其优异的光电特性,在新型显示、照明等领域具有潜在的广阔应用情况。何教授课题组聚焦于钙钛矿的发光性质,介绍课题组在钙钛矿光致发光、电致发光、激光等三个方面的研究工作,以及近期在钙钛矿量子点显示应用方面的进展。▲中国人民大学教授——龙峰中国人民大学龙峰教授做全光纤倏逝波荧光生物传感仪器及检测新污染物的应用报告,介绍了新污染物治理在美丽中国建设中具有重要的战略定位。新污染物具有“新”“多”“广”“低”等特点,其快速精准识别和监测是构建新污染物治理体系的重点和难点。传统监测技术存在前处理繁琐、成本高、难以满足现场快速检测需求等不足。龙教授团队通过建立全光纤倏逝波荧光生物传感新理论并突破系列关键核心技术,创制了具有完全自主知识产权的全光纤倏逝波荧光生物传感系列仪器,结合多样化生物靶向识别材料和生物传感机制,建立了新污染物多指标现场快速检测新方法,为新污染物监测提供精准化、即时化、智能化、集成化技术支撑。▲华北电力大学讲师——仇恒伟华北电力大学仇恒伟讲师做钙钛矿纳米晶的表界面调控和光电应用报告,全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶(PNCs)稳定性不足等诸多问题,无损晶格外延核壳纳米晶有望彻底攻克该问题并最小化界面电荷积累。仇老师从PNCs单晶面S系半导体外延生长出发,辅以合适的表面配体钝化晶面以降低结合能垒,实现晶格外延CsPbBr3/PbS核壳纳米晶可控合成,这一创新方法不仅增强了纳米晶的稳定性,还优化了其光电性能。进一步地,报告介绍了结合普适性纳米晶图案化和3D打印工艺的最新进展,成功构建了集成式光电探测阵列。这一技术突破不仅提升了光电探测器的性能和分辨率,还为其在更广泛领域的应用开辟了新途径。仇老师所做的一系列工作旨在推动PNCs稳定性和光电性能方面的发展,并极大拓展其应用。▲RMIT University研究员——Xiaoming Wen远在澳大利亚皇家墨尔本理工大学的文小明研究员通过国际直播平台,为国内外科研工作者做Time dependent steady-state and time-resolved photoluminescence under light bias in halide perovskites英文报告,文老师首先介绍了稳态光致发光 (PL) 和时间分辨光致发光 (TRPL) 技术发展现状。然而,当对表现出光照诱导的 PL 光谱、效率和寿命变化的材料(如卤化物钙钛矿)进行测量时,这些技术面临一些问题。在过去十年中,卤化物钙钛矿因其优异的光电特性和出色的器件性能(如高效太阳能电池、光电探测器和 LED)而引起了极大的研究兴趣。使用标准 PL/TRPL 测量时,可能会忽略和遗漏关键信息,并可能导致误解。本次报告文老师重点介绍一些光照诱导 PL 效率和载流子寿命增加的应用案例。使用专门设计的时间相关 PL/TRPL,有/没有光照偏置,进行探索异常的光电特性,并利用其团队最近提出的晶格能量库理论对该现象做了很好地解释。文老师作为卓立汉光产品的使用者,也在演讲中感谢卓立汉光的协助,其团队在RIMT大学定制了多功能PL-TRPL光谱系统,该系统能够完成上述大部分功能,并且功能大大扩展,包括激发、检测范围。可以预期该系统将能为其团队的光物理研究提供重要的技术支持。▲华北电力大学讲师——贾东霖华北电力大学贾东霖讲师做钙钛矿量子点表面特性调控研究及其光伏应用报告,钙钛矿量子点(PQD)凭借出色的光电性能和化学加工性,被视为下一代光伏器件的潜力材料,然而其表面高密度的长链绝缘油酸油胺配体成为电荷传输的障碍。贾去除这些原始配体会引发一系列问题,如表面缺陷增加、载流子捕获、钙钛矿晶格畸变以及水氧渗透通道的形成,从而影响光伏性能。为解决这些问题,研究团队开发了一系列创新策略,包括表面缺陷钝化、表面配体取代和表面晶格锚定等,以优化PQD的表面状态。通过这些策略,贾老师有效改善了太阳能电池的载流子提取效率,使无机CsPbI3-与混合FAxCs1-xPbI3-PQD太阳能电池的光电转换效率分别提升至16.64%与17.29%,为改善量子点光伏性能的表面调控策略提供了全新见解。▲香港城市大学教授——雷党愿香港城市大学雷党愿教授做微纳光腔与低维半导体相互作用及功能器件研究报告,首先分享了微纳光腔这类具有电磁场极端局域化和增强的超构光学体系,是发展多功能、小型化、低功耗、超快响应光学器件的基本模块。雷教授介绍了耦合光学微腔与钙钛矿量子点,构建高稳定性、低量子缺陷和超低阈值的微腔激光器(Nature Communications 2020, 11, 1192; Advanced Functional Materials 2024, 2401247);接着展示集成自组装等离激元纳腔阵列与无铅钙钛矿量子点,实现宽带高探测灵敏度和响应度的柔性光电探测器(Nano Letters 2021, 21, 9195);最后介绍近场耦合等离激元纳腔偶极共振模式与过渡金属硫族化合物自旋禁阻暗激子或其异质结中层间激子,获得室温下暗激子(Nano Letters 2022, 22, 1915)或层间激子的可观测发光(ACS Nano 2024, 18, 13599)。这些研究成果不仅展示了微纳光腔与低维半导体相互作用的独特优势,也为未来高性能光学器件的设计与开发提供了重要的科学依据和技术支撑。▲中国科学院长春应用化学研究所研究员——秦川江中国科学院长春应用化学研究所秦川江研究员做准二维钙钛矿发光机理与高性能器件报告,首先强调了有机/无机杂化钙钛矿半导体材料的显著优势,包括高吸收截面、高载流子迁移率和低成本溶液加工等特性,使其成为新一代半导体发光材料和激光器增益介质的理想选择。然而,这类新型材料的发光和激射原理尚未完全阐明,成为国际研究难题。针对这一挑战,秦老师课题组利用瞬态光谱技术取得了重要突破,不仅证实了Rashba自旋效应和暗态三线态激子的存在,还首次提出了准二维钙钛矿中长寿命暗态三线态激子的概念,并深入探讨了其对光电性能的影响。通过创新的维度和组分工程策略,团队成功调控了钙钛矿中的三线态激子行为和发光特性,进而实现了系列高性能发光器件的制备,和具有低激发阈值的室温连续光泵浦准二维钙钛矿激光。▲北京卓立汉光仪器有限公司应用专家——覃冰北京卓立汉光仪器有限公司应用专家覃冰做超快分子光谱探测技术及解决方案报告,介绍卓立汉光超快光谱探测方案在飞秒及皮秒时空中对超快物理化学及生物过程进行监测的应用,如太阳能电池、低维材料、量子器件、超导材料、新型半导体、纳米催化、生物传感等材料中载流子时空演化,载流子的激发动力学,钙钛矿中的放大自发辐射测试等。▲北京理工大学教授——王卓然北京理工大学王卓然教授做多元硫硒化物半导体光电器件报告,在立足于信息技术领域对新一代光电子器件与集成技术的重大需求基础上,报告聚焦半导体光电材料与器件领域关键问题,重点介绍以Cu2ZnSn(S,Se)4和AgBiS2为代表的环境友好型多元硫硒化物半导体在薄膜光伏与光电探测领域的应用,并就未来面向短波至中波红外应用的多维度硫硒化物材料体系与高维度集成光电传感系统展开讨论。▲北京金竟科技有限责任公司应用经理——李洋北京金竟科技有限责任公司李洋做阴极荧光成像及光谱采集系统及其在半导体领域的应用报告,报告内容涵盖其公司简介、阴极荧光含义及其原理、阴极荧光相关产品介绍及应用案例分享、 电子束曝光简介及产品介绍及应用案例分享、合作用户单位等,整个报告展示了北京金竟科技有限责任公司在阴极荧光成像及光谱采集系统、电子束曝光技术方面的深厚积累和创新能力,以及这些技术在推动半导体行业发展中的重要作用。▲中国人民大学博士——曹丹丹中国人民大学曹丹丹博士做纳米晶半导体高效单光子上转换发光报告,研究发现,钙钛矿具有显著的“声子辅助-单光子上转换”光致发光,浅能级缺陷可作为关键中间态角色。报告分享了基于配体工程调控深缺陷分布,可以有效抑制非辐射复合损失;基于结晶动力学工程调控浅缺陷分布,能够大幅度提升亚带隙电子跃迁的振子强度。在两者协同作用下,钙钛矿纳米晶的单光子上转换强度提高40%以上,有效光学冷却增益窗口超过130 meV。上述结果为深入认识纳米晶光致发光机制、拓宽纳米材料在光学/光电方面的实际应用提供了新的学术见解。▲仪器展示介绍环节除上述大会报告以外,会议期间,结合用户各种需求,卓立汉光公司适时展示多种产品系统,部分产品系统提供免费测样,欢迎详询:拉曼光谱荧光光谱微纳器件光谱响应度测试系统光栅单色仪/光栅光谱仪超快时间分辨光谱测试系统2μm波段掺铥光纤激光器笼式系统阻尼隔振平台更多精彩内容敬请期待8月16日的会议报告!8月16日/9:00-11:45 光谱仪&探测器&设备专场报告人单位报告题目沈昊华东师范大学声子散射对激子极化激元物理特性的影响王波上海交通大学几何阻挫光子晶体二次谐波赵怡然北京卓立汉光仪器有限公司光谱仪、探测器等光电模组产品及应用介绍闫理贺西安交通大学飞秒时间分辨瞬态吸收光谱显微测量系统及其应用杨雄国防科技大学激光诱导荧光技术在电推进等离子体中的精确诊断应用马腾飞华东师范大学光芯片波导耦合及角分辨传导光谱性能研究8月16日/13:30-16:50 光机械与自动化&激光器专场报告人单位报告题目郭连波华中科技大学多模态融合激光探针技术朱来攀中国科学院北京纳米能源与系统研究所第三代半导体中的界面极化及其调控那帅北京大学光与声的共鸣:生物医学光声成像宋伟中国科学院空间应用工程与技术中心基于数字全息技术气体密度测量原理与应用陈兴海北京卓立汉光仪器有限公司光机械产品及应用分享吴升北京市农林科学院信息技术研究中心植物高通量表型技术装备发展及应用李磊江南大学新质生产力下的光电检测设备布局秦齐邢台学院2μm波段窄线宽光纤激光器及其在空间光通信和生物组织切割中的应用赵瑞琨北京卓立汉光仪器有限公司2μm激光器产品及应用介绍*日程具体以现场为准

  2024年8月14日,由北京卓立汉光仪器有限公司、北京怀柔仪器和传感器有限公司、先锋科技(香港)股份有限公司、无锡中镭光电科技有限公司联合举办的第五届“逐梦光电”国产光电分析仪器和核心技术研制与应用研讨会暨怀柔光电产业发展论坛在北京中建雁栖湖景酒店成功开幕。本次盛会汇聚了来自全国各大知名高校、研究院以及“产、学、政、研、用、金”不同领域的近百位专家学者,共同探讨光电技术的最新进展和产业发展趋势。开幕第一天,线万人。▲正式开幕本次研讨会聚焦荧光、拉曼、条纹、分幅、icmos、成像光谱仪、2μm激光器、光机、自动化,磁光,压电,仪器联用等10余类产品以及钙钛矿,太阳能,二维材料,燃烧诊断,等离子体诊断,LIBS,半导体,激光物理等八大应用方向,旨在推动光电技术的创新发展,加强产学研用的深度融合,促进光电产业的转型升级。会议包括主题报告、技术展示等多种形式,为参会者提供了一个交流思想、分享经验、探讨合作的平台。▲北京卓立汉光仪器有限公司总经理张志涛在开幕式上,北京卓立汉光仪器有限公司总经理张志涛发表致辞,对远道而来的嘉宾表示热烈欢迎,并对光电产业的未来发展寄予厚望。随后,15位来自激光诱导击穿光谱、拉曼光谱领域的专家学者分别就各自的研究领域作了深入的阐述,分享了最新的研究成果和经验。▲北京怀柔仪器和传感器有限公司总工程师刘海锋北京怀柔仪器和传感器有限公司总工程师刘海锋做激光技术与光学仪器在大科学装置的应用机遇技术报告,对怀柔科学城做重点介绍,怀柔科学城作为北京“三城一区”国际科技创新中心的关键平台,定位于世界级原始创新承载区,聚焦物质、信息智能、空间、生命、地球系统五大科学领域,部署了众多顶尖科技设施,聚集了国际上首个集极低温、超高压、强磁场和超快光场等综合极端条件实验装置;中国首台第四代高能量同步辐射光源及北京激光加速创新中心等,这些设施将汇聚成全球大科学装置最密集区域,为前沿激光技术、光学仪器研发应用带来前所未有的机遇与挑战。▲多场低温科技(北京)有限公司超精密运动部门负责人刘立民多场低温科技(北京)有限公司超精密运动部门负责人刘立民做基于压电的超精密运动解决方案报告,全面剖析压电技术在超精密运动控制领域的基础原理与最新进展,同时聚焦于多场科技推出的系列压电超精密运动产品,并详细描述这些产品的技术规格、操作原理以及在不同行业中的具体应用案例,展示它们如何在复杂环境中保持卓越的性能以满足用户对高精度和高稳定性的严格要求。并对其在半导体加工、生物医疗、精密光学等领域的应用情况做简单介绍。▲北京卓立汉光分析仪器有限公司应用专家赵牧原北京卓立汉光分析仪器有限公司应用专家赵牧原做太阳能领域产品综合解决方案报告,介绍了太阳能电池领域的前沿情况,并介绍卓立汉光公司面向太阳能电池领域推出的DSR光电检测系统,包括各个系统的测量原理、特点、适用范围和应用案例。▲合肥工业大学副教授杨蕾合肥工业大学杨蕾副教授做激光诱导击穿等离子体光谱报告,深入剖析了激光诱导击穿光谱(LIBS)技术的核心理念、根本机制及其固有的优势与局限性。针对LIBS技术在原位检测应用中的两大核心挑战——固体样本表面形貌的未知变异性与液体样品检测的复杂性,她展开了详尽探讨。研究固体样本表面形貌变化对等离子体、光谱的影响,提出减小其影响的方法;液体样品的Libs原位检测中,直接检测易产生飞溅,且激光脉冲存在一定的吸收损耗,导致光谱信号弱,研究并提出液体样品的检测方案,为提高液体样品在线定量检测精度提供参考。▲西安交通大学副教授袁欢西安交通大学袁欢副教授做激光诱导等离子体技术及其在电力系统中的典型应用报告,分析近些年来电力系统内基于激光诱导等离子体技术的检测方法,主要包括真空灭弧室真空度、绝缘油内金属颗粒、电缆表面绝缘强度、媒质灰飞等方面的研究,从技术原理、产业情况、仪器研制等方面进行论述,希望进一步推进激光诱导等离子体技术在电力系统内的产业化应用。▲北京卓立汉光仪器有限公司光学工程师何运北京卓立汉光仪器有限公司光学工程师何运做从实验室到在线及小型化LIBS系统应用介绍报告,介绍LIBS仪器应用,从实验室到现场及小型化。具体包括:1)激光诱导击穿光谱技术简介;2)实验室、现场和小型化LIBS仪器的应用。▲西安交通大学博士时铭鑫西安交通大学时铭鑫博士做激光诱导击穿光谱在油气资源勘探中的应用研究报告,报告指出,准确获取岩石与岩心样本的矿物元素与有机质组分信息,是理解其矿物学及有机地化特征、评估潜在储层及甜点区域的关键。时博士通过深入研究激光与岩石样本的相互作用及等离子体演化过程,优化了LIBS检测参数,成功构建了针对岩石及岩心样本的矿物元素与有机元素定量分析模型。该模型有效解决了模型过拟合与欠拟合问题,显著提升了元素预测的准确性。此外,研究还进一步探索了多光谱融合技术在页岩岩心总有机碳等有机质热解参数预测中的应用,为实现井场近原位、快速检测矿物元素与有机质特征参数提供了新方法。这一技术突破有望为油气田现场生产开发方案的即时优化提供强有力的数据支撑,推动油气资源勘探与开发效率的提升。▲西安交通大学教授吴坚西安交通大学吴坚教授做激光诱导击穿光谱技术及其在核工业领域应用进展报告,鉴于核工业材料的特殊性,实现其元素组分的原位在线测量一直是技术难题。LIBS技术凭借其独特的优势,如不受辐照环境影响、非接触式测量、远距离操作等,为这一领域带来了革*性的解决方案。报告回顾了LIBS技术在核工业多个关键环节中的国内外研究与应用进展,包括铀资源勘探、核燃料生产、核电站运行监测以及乏燃料处理等方面,展示了LIBS技术在提升核工业材料分析效率与准确性方面的巨大潜力。并着重团队在核电站异物识别、结构材料分类以及安全壳氯离子侵蚀检测等方面的研究成果。团队不仅成功研制了光纤式和望远镜式LIBS检测装置,还成功将这些装置应用于实际现场,实现了对核工业环境中复杂材料元素组分的快速、准确分析。最后,展望了激光诱导击穿光谱技术在核工业领域的应用前景。▲国家农业智能装备技术研究中心助理研究员马世祥国家农业智能装备技术研究中心马世祥助理研究员做激光诱导击穿光谱技术在农业中的应用研究报告,激光诱导击穿光谱技术(LIBS)作为一种新型元素检测技术,被广泛地应用于农业、工业以及矿产勘探等各个领域。针对农业中土壤、水体检测需求,团队基于LIBS技术开展研究,实现了土壤及水体中重金属、营养元素等快速测量,并研制了农田土壤健康管理专家“知土SmartSoil”系列产品,得到了广泛的应用和好评。它不仅帮助农民解决了土壤健康管理中的难题,还促进了农业生产的可持续发展,为实现乡村振兴和农业现代化贡献了重要力量。马世祥助理研究员及其团队的研究成果,为LIBS技术在农业领域的应用开辟了新的道路,也为未来农业环境监测和资源管理提供了更加广阔的前景。▲研究员张开锋张开锋研究员做基于等离激元波导针尖的高分辨率拉曼光谱技术报告,重点介绍了TERS(针尖增强拉曼光谱)技术的优化方案,针尖增强拉曼光谱(TERS)是一种能以纳米级空间分辨率获取化学信息的方法。现有的TERS技术,激发光会直接照射到探针针尖,其光照射的面积(几百nm)远大于针尖直径(几十nm),因此针尖以外的样品信号,即背景信号会被叠加检测。提高TERS信号的对比度,测量具有荧光活性或强拉曼活性的样品是一项重大挑战。张老师发展了基于等离激元薄膜波导针尖的TERS技术,实现了高稳定性、低背景噪声的TERS测量。该技术可以应对要求高对比度、低热损伤和多环境等TERS测量需求,有望促进TERS技术的推广和发展。▲北京化工大学副教授杨志宇北京化工大学杨志宇副教授做自旋电化学储能的发展前景及挑战报告,储能技术可以将波动电能转化为稳定电力,进而推动能源革*。水系离子电池因安全性高、成本低廉、环境友好,被认为是一种极具发展前景的新型大规模储能技术。然而,常见的过渡金属氧化物阴极材料具有导电性差、容量低、循环稳定性差等问题。基于此,杨老师通过调控过渡金属氧化物活性中心的自旋态来改善电极材料内部电荷的储存和转移机制,以及晶体的结构变形,从而提高电极的能量储存能力和稳定循环能力。发展高效的自旋调控策略以及搭建可视化的自旋检测技术有望推动这一领域的快速发展。▲西安交通大学教授任丹西安交通大学任丹教授做电化学原位拉曼光谱的搭建与应用报告,深入探讨了电化学原位拉曼光谱技术的构建与应用,特别是在清洁电力驱动下的电化学二氧化碳还原(CO2RR)这一绿色碳利用技术中的关键作用。面对当前电催化二氧化碳还原领域催化剂与反应体系尚不成熟、催化机理不明以及界面微环境调控困难的挑战,任老师强调了拉曼光谱技术作为研究电催化界面的关键技术的重要性。报告详细阐述了电化学原位拉曼光谱技术的设计思路、系统搭建过程及其在实际研究中的应用。该技术能够高效捕捉催化反应界面上的微环境信号,为深入理解电催化反应机理、优化催化剂设计提供了有力的分析工具。▲苏州惟光探真科技有限公司总经理刘争晖苏州惟光探真科技有限公司正高级工程师刘争晖做晶圆级半导体光电测试与解决方案报告,团队依托自主知识产权的激光辅助离焦量传感器,小型化科勒照明系统,高稳定性的系统集成设计、数据处理和软件算法等核心技术,针对Si和第三代半导体先进制程,提供显微和荧光成像的核心光学模组,供AOI系统、缺陷检查系统、探针台等集成;针对SiC、GaN等第三代半导体材料和MicroLED新型器件先进制程中面临的发光性质、应力和载流子浓度不均匀的新问题,提供荧光和拉曼光谱相关的系统解决方案,与晶圆厂商合作,开拓良率控制的新途径。供应链国产稳定可控,以更高的性能、更好的应用服务和较低的价格对半导体显微和光谱市场领域进行国产替代。▲北京卓立汉光仪器有限公司应用工程师张丽文北京卓立汉光仪器有限公司应用工程师张丽科研与分析型拉曼产品介绍与应用分享报告,介绍卓立汉光科研型与分析型拉曼产品及其应用,包括各个系统的性能、特点、和应用案例,重点介绍了Finder930全自动显微共聚焦拉曼光谱系统,RTS多功能拓展型拉曼光谱系统及联用技术,Finder Insight小型科研级拉曼光谱仪及Finder Edge手持式拉曼光谱仪,并重点分析了其在材料科学、生物医学、考古、食药环侦、管制品、禁毒、违禁塑料等领域的应用情况。▲中国科学院工程热物理研究所金楷茹中国科学院工程热物理研究所田振玉研究员的博士生金楷茹同学做基于原位拉曼光谱的高温结焦积炭动态表征报告,完成了基于原位拉曼光谱的高温结焦积炭动态表征研究,该研究针对航空发动机燃烧室积炭及高超声速飞行器热管理再生冷却管路中的热结焦问题,提出了创新的解决方案。在高温、高压及复杂反应条件下,燃烧积炭和热解结焦是航空及航天领域面临的重大挑战,它们不仅会导致设备堵塞、燃油效率降低、功率输出下降,还可能对飞行安全构成严重威胁。传统方法难以实时、准确地监测这些过程中积炭和结焦结构的动态变化。金楷茹同学的研究利用原位拉曼光谱技术,直接在火焰或高温反应环境中对积炭和结焦进行动态表征,这一技术突破使得研究者能够实时捕捉到积炭和结焦结构在极端条件下的细微变化。通过对乙炔燃烧喷嘴尖端积炭结构以及乙炔热解过程中惰性石英表面焦炭结构的动态监测,该研究不仅揭示了积炭、结焦结构随时间和温度变化的规律,还深化了对积炭、结焦生成机制的理解。除上述大会报告以外,会议期间,结合用户各种需求,卓立汉光公司适时展示多种产品系统,部分产品系统提供免费测样,欢迎详询!更多精彩内容敬请期待8月15日的会议报告!8月15日/9:00-12:10光电探测&磁光专场报告人单位报告题目韩俊波华中科技大学二维本征铁磁体的磁性调控及应用探索Lianfeng ZhaoClemson UniversityToward Metal Halide Perovskite Laser Diodes康佳昊北京大学显示器件的频率色散和集约模型梁春军北京交通大学一种新型光伏发电技术_钙钛矿太阳能电池戴宏伟湖北众韦光电科技有限公司低温磁场下的微区磁光克尔及光谱测试张福俊北京交通大学倍增型有机光电探测器郝宏玥中国科学院半导体研究所超表面锑化物红外探测器研究8月15日/13:30-17:00荧光&超快专场报告人单位报告题目何海平浙江大学钙钛矿发光:材料、器件及应用秦川江中国科学院长春应用化学研究所准二维钙钛矿发光机理与高性能器件仇恒伟华北电力大学钙钛矿纳米晶的表界面调控和光电应用Xiaoming WenRMIT UniversityTime dependent steady-state and time-resolved photoluminescence under   light bias in halide perovskites贾东霖华北电力大学钙钛矿量子点表面特性调控研究及其光伏应用雷党愿香港城市大学微纳光腔与低维半导体相互作用及功能器件研究龙峰中国人民大学全光纤倏逝波荧光生物传感仪器及检测新污染物的应用覃冰北京卓立汉光仪器有限公司超快分子光谱探测技术及解决方案王卓然北京理工大学多元硫硒化物半导体光电器件李洋北京金竟科技有限责任公司阴极荧光成像及光谱采集系统及其在半导体领域的应用王弋中国人民大学纳米晶半导体高效单光子上转换发光*日程具体以现场为准。

  北京卓立汉光仪器有限公司、北京怀柔仪器和传感器有限公司、先锋科技(香港)股份有限公司、无锡中镭光电科技有限公司联合举办的第五届“逐梦光电”国产光电分析仪器和核心技术研制与应用研讨会暨怀柔光电产业发展论坛。会议邀请各位专家学者,围绕光电行业的未来发展趋势、区域特色产业的优势与机遇进行深入探讨,分享光电分析仪器的最新应用案例、操作技巧及科研成果,促进跨领域交流与合作,共同推动光电技术行业的繁荣发展。会议时间&地点2024年8月14日-8月16日 北京中建雁栖湖景酒店 6大专场光电分析仪器技术与应用荧光&超快拉曼&LIBS联用光谱仪&探测器&设备光电探测&磁光光机械与自动化&激光器8大应用方向钙钛矿,太阳能,二维材料,燃烧诊断,等离子体诊断,LIBS,半导体,激光物理10+产品方向荧光、拉曼、条纹、分幅、icmos、激光、光机、自动化,磁光,压电,仪器联用等会议报名扫名,线 光电分析仪器技术与应用报告人单位报告题目刘立民多场低温科技(北京)有限公司基于压电的超精密运动解决方案赵牧原北京卓立汉光分析仪器有限公司太阳能领域产品综合解决方案李颖颖新奥能源研究院磁约束聚变等离子体光谱诊断袁欢西安交通大学激光诱导等离子体技术及其在电力系统中的典型应用何运北京卓立汉光仪器有限公司从实验室到在线及小型化LIBS系统应用介绍时铭鑫西安交通大学激光诱导击穿光谱在油气资源勘探中的应用研究8月14日13:30-17:20 拉曼&LIBS联用专场报告人单位报告题目吴坚西安交通大学激光诱导击穿光谱技术及其在核工业领域应用进展杨蕾合肥工业大学固体与液体样本的libs原位分析技术研究马世祥国家农业智能装备技术研究中心激光诱导击穿光谱技术在农业中的应用研究张开锋基于等离激元波导针尖的高分辨率拉曼光谱技术杨志宇北京化工大学自旋电化学储能的发展前景及挑战张丽文北京卓立汉光仪器有限公司科研与分析型拉曼产品介绍与应用分享周敏中国科学院长春应用化学研究所超分辨电化学:从基础到应用刘争晖苏州惟光探真科技有限公司晶圆级半导体光电测试与解决方案任丹西安交通大学电化学原位拉曼光谱的搭建与应用田振玉中国科学院工程热物理研究所基于原位拉曼光谱的高温结焦积炭动态表征信文平惠然科技有限公司扫描电镜与拉曼联用技术应用研究8月15日9:00-12:10 光电探测&磁光专场报告人单位报告题目韩俊波华中科技大学二维本征铁磁体的磁性调控及应用探索Lianfeng ZhaoClemson UniversityToward Metal Halide Perovskite Laser Diodes康佳昊北京大学显示器件的频率色散和集约模型梁春军北京交通大学一种新型光伏发电技术_钙钛矿太阳能电池戴宏伟湖北众韦光电科技有限公司低温磁场下的微区磁光克尔及光谱测试张福俊北京交通大学倍增型有机光电探测器郝宏玥中国科学院半导体研究所超表面锑化物红外探测器研究8月15日13:30-17:00 荧光&超快专场报告人单位报告题目何海平浙江大学钙钛矿发光:材料、器件及应用秦川江中国科学院长春应用化学研究所准二维钙钛矿发光机理与高性能器件仇恒伟华北电力大学钙钛矿纳米晶的表界面调控和光电应用Xiaoming WenRMIT UniversityTime dependent steady-state and time-resolved photoluminescence under light bias in halide perovskites覃冰北京卓立汉光仪器有限公司超快分子光谱探测技术及解决方案雷党愿香港城市大学微纳光腔与低维半导体相互作用及功能器件研究龙峰中国人民大学全光纤倏逝波荧光生物传感仪器及检测新污染物的应用贾东霖华北电力大学钙钛矿量子点表面特性调控研究及其光伏应用王卓然北京理工大学多元硫硒化物半导体光电器件李洋北京金竟科技有限责任公司阴极荧光成像及光谱采集系统及其在半导体领域的应用8月16日9:00-11:45 光谱仪&探测器&设备专场报告人单位报告题目沈昊华东师范大学声子散射对激子极化激元物理特性的影响王波上海交通大学几何阻挫光子晶体二次谐波赵怡然北京卓立汉光仪器有限公司光谱定制系统产品及应用介绍闫理贺西安交通大学飞秒时间分辨瞬态吸收光谱显微测量系统及其应用杨雄国防科技大学激光诱导荧光技术在电推进等离子体中的精确诊断应用马腾飞华东师范大学光芯片波导耦合及角分辨传导光谱性能研究8月16日13:30-16:50 光机械与自动化&激光器专场报告人单位报告题目郭连波华中科技大学多模态融合激光探针技术朱来攀中国科学院北京纳米能源与系统研究所第三代半导体中的界面极化及其调控那帅北京大学光与声的共鸣:生物医学光声成像宋伟中国科学院空间应用工程与技术中心基于数字全息技术气体密度测量原理与应用陈兴海北京卓立汉光仪器有限公司光机械产品及应用分享吴升北京市农林科学院信息技术研究中心植物高通量表型技术装备发展及应用李磊江南大学新质生产力下的光电检测设备布局秦齐邢台学院2μm波段窄线宽光纤激光器及其在空间光通信和生物组织切割中的应用赵瑞琨北京卓立汉光仪器有限公司2μm激光器产品及应用介绍*日程持续更新中,具体以现场为准产品推荐“影像谱王”光栅光谱仪全自动化拉曼光谱分析系统笼式系统2μm 掺铥光纤激光器微纳器件光谱响应度测试系统超快时间分辨光谱测试系统

  现代气相工艺的污染控制要求不断推动四极气体分析仪的性能极限。四极子技术正在迅速发展,并适应较低污染水平的规格。在选择特定应用的传感器时,充分了解影响目前不同气体分析系统的检测能力的各种因素是一个必要的工具。与通常的情况一样,大多数选择都涉及到妥协,而充分了解与不同检测器配置相关的基本权衡将使错误最小化并最大化生产力。所有的气相处理装置都可以受益于添加一个四极气体分析仪。由匹配良好的探测器提供的信息迅速成为该过程中不可分割的组成部分,大大减少了传统上属于大多数真空故障排除程序的估算测量。随着四极杆气体分析仪变得越来越便宜,它们正迅速在所有需要严格控制工艺气体污染水平的行业中变得普遍。智能软件界面、较低的检测限制和较低的拥有成本是现代仪器中需要寻找的一些功能。本文的以下部分描述了开放和封闭离子源四极杆质谱仪的性能规范。这些信息的主要目的是介绍为任何气相应用选择正确的分析仪所需的基本概念,并提出一些必须牢记的基本工作原理,以确保所选仪器的最佳性能。残余气体分析仪析典型的残余气体分析仪(RGA)有一个开放的离子源(OIS),并直接安装在一个真空室上,使整个传感器与真空系统的其余部分处于相同的压力下。较小的物理尺寸使得将 RGA 连接到几乎任何真空系统都成为可能,包括研究和工艺设置。最大工作压力为 10 -4 Torr。对于配备电子倍增器的装置,最小可检测分压(通常为 N 2 在 28amu 处测量)低至 10 -14 Torr。在高真空应用中,如研究室、表面科学装置、加速器、航空航天室、扫描显微镜、放气室等,RGAs 被有效地用于监测真空质量,它们甚至可以很容易地检测到低压气体环境中最微小的杂质。痕量杂质可以测量到 10 -14 Torr 水平,在没有背景干扰的情况下,可以进行亚 ppm 的检测。在系统故障排除过程中,RGAs 也被用作非常灵敏的原位氦泄漏探测器。在半导体行业中,RGA 最好用于蒸发器、溅射器、蚀刻器或任何其他高真空系统,这些系统通常被泵送到低于 10 -5 Torr。他们的主要应用是在任何晶圆投入生产之前检查真空密封的完整性和真空的质量。空气泄漏、虚拟泄漏和许多其他污染物在非常低的水平上很容易破坏晶圆,并且必须在工艺启动之前被检测到。随着半导体工艺变得更加复杂,它们对污染物的容忍度也变得越低。工艺室中的残余气体分析增加了正常运行时间和生产产量,并降低了拥有成本。图 1:OIS 示意图开放的离子源(OIS)在大多数商用 RGAs 中使用的标准离子源是开放离子源(OIS)。这种电离器被认为是 RGA 的“全做”源。自 20 世纪 50 年代初以来,它就一直呈圆柱形,轴向对称的形式存在。通用的 OIS 设计原理图如图 1 所示。OIS 渗透到工艺腔室中。灯丝和阳极电离网对周围的真空室“开放”。真空室中存在的所有分子都可以很容易地穿过离子源。电离器中的压力与周围真空的压力相同,也与四极杆质谱分析仪和离子探测器中的压力相同。OIS 对真空室中的所有气体分子都是“开放的”。只要总压力保持在 10 4 Torr以下,它就可以用来监测和检测气体水平的变化。由于离子之间的空间电荷排斥力,较高的压力会导致灵敏度的降低。OIS 的性能限制OIS RGAs 在不影响真空环境气体成分的情况下测量残留气体水平。然而,必须记住一些潜在的问题,特别是当传感器被常规用于监测微量杂质(ppm 和亚 ppm 水平)或超高线 Torr)环境时。下面列出了 OIS RGA 对其背景信号的不同贡献方式,从而影响了传感器的检测能力。在适用的情况下描述最小化这些问题的方法。除气OIS 是一种热阴极离子源。灯丝(阴极)必须加热到高温(>

  1300°C),以建立电子发射电流。在高真空中,加热灯丝所需的大部分能量通过辐射过程耗散到周围环境中。因此,整个电离器和相邻的真空壁面“发热”。升高的温度导致 OIS 本身和来自相邻的腔壁的排气增加。排气释放的气体可以降低许多重要物种的 OIS RGA 的最小可检测分压(MDPP),包括 H 2 、H2 O、N 2 、CO 和二氧化碳。从热阴极计上排气对高真空用户来说并不是一个新问题。它也存在于贝亚德-阿尔伯特电离仪中,这种电离计在过去 50 年里真空室中一直很常见。在大多数情况下,排气只会影响被测量的气体混合物的组成。然而,在某些情况下,放气可能是一个严重的问题,甚至会影响实验或过程的结果。排气电离器可以帮助最小化一些背景信号;然而,这通常只是一个临时的解决方案。一些 RGA 供应商提供其 OIS 的 UHV 版本,其阳极(有时是整个电离器组件)由铂包层钼线制成。这种高度惰性的材料对许多气体的吸附量降低,并减少了出气和 ESD。水气是一种常见的干扰,尤其重要,因为它是许多高真空工艺的严重污染源。在超过 200°C 的长期烘烤是减少 OIS RGA 中水气的最佳选择。在 OIS 电极排出的 H 2 气体可能会让 UHV 状态下的用户担心,在 UHV 状态下,残留的氢通常占总气体混合物成分的 95 %。H 2 溶解在大多数 300 系列不锈钢中,很容易从热 OIS 电极排出。OIS 对 H 2 背景的贡献取决于其组成,使用铂包覆盖件可以显著减少。在所有情况下,随着气体从电极中耗尽,影响会随着时间的推移而减弱。电子激发解吸(ESD)即使在 RGA 被彻底烘烤后,也经常在 12、16、19 和 35 amu 处观察到峰,这是由 OIS 内部表面的 ESD 形成的,而不是由气体物质的电子冲击电离形成的。ESD 对 RGA 性能的影响类似于排气。我们可以采取以下几个步骤来最小化其影响:*高电子能量脱气——通常是商业仪器的一种选择*镀金离子器——可以减少许多气体的吸附,从而降低了 ESD 效应。使用铂包层覆盖的钼离子器也是一种替代选择。*减少了电子束的范围。*减少 OIS 的表面积——使用金属丝网代替固体穿孔金属*避免将离子发生器暴露在氯和氟化合物中。背景干扰与电离器相比,四极质量过滤器组件具有较大的表面积,即使在运行过程中不像电离器那么热,它仍然可以排气。OIS 和传感器都暴露在相同的真空环境中,这使得电离器对四极杆组件的其余部分排出的杂质非常敏感。对于许多 RGA 用户(特别是在 UHV 范围内)来说,一个严重的问题是水从未烘焙的 RGA 中排气。然而,许多其他物质也会影响背景读数。例如,如果传感器最近暴露在大量的气体中(因为它往往被吸附在 SS 表面和解吸只是非常缓慢),可以预期高 Ar 背景。电离发生器对在热灯丝中产生的杂质也很敏感。气体分子在灯丝表面会发生热裂解和化学反应,反应的产物很容易进入电离区。以这种方式产生的杂质通常是离子发生器表面污染的一个重要来源,并对 RGA 的长期稳定性有严重影响。例如,CO 和 CO 2 是由大多数热灯丝发出的,很容易进入电离器和真空系统。定期烘烤是尽量减少这个问题的最有效的方法。在 200°C 烘烤通常可以解决大多数污染问题。如果问题仍然存在,则可能需要清洁和/或翻新四极杆传感器。分压系统(PPR)RGAs 并不局限于对压力低于 10 -4 Torr 时的气体的分析。借助分压泵、减压气体进口系统(PPR)可以对更高的气体压力进行采样,该系统包括分压泵和真空泵。常规的分压是针孔和毛细管,它们可以提供超过 6 个数量级的压力降低。真空泵通常由一个前级泵和涡轮分子泵组成。RGA、进气系统和泵站构成了通常称为分压系统(PPR)。这些气体取样系统在气相过程中很常见,可以从几个 RGA供应商那里获得。如果设计得当,PPRs 可以从头到尾监控流程,为每一步都提供必要的信息。图 2 中描述的 PPR 系统是一个典型的减压装置的示例,用于将过程压力降低到 OIS RGA 可接受的水平。PPR 包含到 RGA 的两个入口路径:用于监测基础真空的高电导率路径(Hi-C),以及用于监测工作压力下的气体的低电导率路径(Lo-C)。当线 Torr 时,使用高电导率路径。在高真空条件下,典型的应用是进行泄漏测试和监测腔室的极限真空。例如,在溅射室中,该过程的第一阶段是泵至小于 10 6 Torr。此时,RGA 可用于检查背景质量的泄漏和污染物。一旦真空质量令人满意,溅射腔室以几毫托回填氩气,并开始溅射。当工艺室的压力超过 10 4 Torr 时,使用低电导率路径。该路径包含一个微孔节流孔,可将压力降低数个量级到适合 RGA 的水平(通常在 10 5 Torr 左右)。孔径可用于高达 10Torr 的工作压力。有时会使用一组节流孔(或一个可调节的计量阀)来调节减压系数,以适应整个过程中的不同压力。例如,在溅射过程中,Lo-C 路径可用于监测水蒸气和碳氢化合物的水平,以确保它们不会超过降低溅射膜质量的某些临界水平。分子泵将气体通过节流孔输送到 RGA,形成压降。在这些系统中使用的泵通常是非常紧凑,无油和低维护。对于高于 10 Torr 的压力,进入单级 PPR(如图 2 样品样侧所示)的气体流速变得非常小,响应时间变慢,无法做出任何实际的测量。在这种情况下,双级旁通抽气取样采样系统,具有更大的气体流速和更快的响应速度,是比单级 PPR 更好的选择。旁通抽气取样采样系统,具有取中压分析的方式,能够分析几个大气压的气体混合物,可从几个 RGA 供应商获得该系统。图 2:PPR 进口系统PPR 系统的性能限制PPR 在低于 10 Torr 压力下的可以很好的进行气体取样,它们提供的信息通常用于诊断和控制各种行业中的气相过程。随着价格的下跌和技术的发展,这些仪器正在不断地寻找新的应用领域。大量的 PPR 系统专门用于检测气体混合物中的微量杂质。OIS RGAs 有足够的灵敏度和动态范围来检测百万分之一(ppm)级别的污染物。然而,来自过程气体的干扰和来自传感器本身的背景干扰使 PPR 在实践中很难检测到 ppm 级别的杂质。背景干扰分析仪腔室中存在的背景气体可以掩盖一些重要气体(H 2 、H 2 O、N 2 、CO 和 CO 2 )的 MDPPs。背景气体是由于排气、电子激发解吸和泵浦系统的有限压缩比。为了最好地说明这一点,以 10 2 TorrAr 溅射过程中的水的分析为例。在过程监测期间,质谱仪通常运行在约 10 5 Torr 下,对应于 PPR 的 Lo-C 路径的降低了 3 个数量级。压降使工艺室中 1 ppm 的水达到质谱仪中的分压约 10 11 Torr(完全在典型 RGA 的检测限范围内)。然而,由于质谱仪与工艺气体分离,PPR 室中的残余压力最多为 10 9 Torr(其中大部分是水)。该水位比工艺室中 1 ppm 的水对应的 10 11 Torr 大 100 倍,这意味着在这些“常见”的操作条件下,水蒸气浓度不能被可靠地检测或测量到 100 ppm 以上。在分析过程中,将 RGA 室的工作压力提高到 5×10 5 Torr ,MDPP 极限可以提高到 20 ppm。然而,在某些情况下,即使是 20 ppm 的 MDPP 限制也可能不够低。添加一个具有大泵送速度的低温泵,已被证明可以极大地减少 PPR 的四极室的水背景。然而,由于泵的高成本,这在实践中很少这样做。对于其他潜在的干扰气体,也必须记住同样的限制。为了在 ppm 水平检测到任何物种(10mTorr过程中 10 8 Torr),PPR 的残余质谱必须在该物种的峰对应的质量值处显示小于 10 11 Torr 的压力读数。在大多数真空系统中,除非采取必要的预防措施以尽量减少所有污染源,否则不容易达到这种水平。对于 50 amu 以下的质量,这个问题通常更为严重,因为在残余质谱中总是有背景峰。尽管 RGA 本质上能够执行亚 ppm 的测量,但在 RGA 的残余质谱中找到背景处于 ppm 水平的位置并不总是容易。PPR 中背景干扰的一个常见来源是传统油泵回流到 PPR 室的污染。切换到一个完全无油的泵站,就消除了这个问题。空气的 MDPP 限值通常受到泵站的压缩比的限制。在大多数 PPR 系统中,N2 水平通常低于10 9 Torr,氧水平大约低5倍。这相当于在10 mTorr过程中,N 2 @28amm的MDPP水平高于20ppm,O 2 @32amu 的 MDPP 水平高于 4 ppm。氢气通常不可能在 ppm 的水平上检测到,因为它很容易从分析仪上排出,而且它不能被大多数涡轮泵有效地泵送。一些用于最小化 H 2 背景信号的技巧包括:使用 Pt 覆盖钼 OIS,以及增加一个特殊的泵站,增加氢的泵送速度。工艺气体干扰在一个典型的基于 OIS RGA 的 PPR 系统中,ppm 检测水平的另一个限制是由来自被分析的相同工艺气体的干扰造成的。说明这一点的最好方法是回到 10 mTorr Ar 溅射过程中的水分析的例子。我们发现,检测超过20 ppm 水平的水是非常困难的,除非 PPR 室被非常小心地烘烤并免受水污染。然而,正如我们将看到的,这只是问题的一部分:在溅射系统中使用的 m/e 18 也有严重的干扰。同位素 36 Ar 的含量为 0.34 %。在电子电离过程中,形成双电荷氩,在 m/e 20( 40 Ar++)和 m/e 18( 36 Ar++)处产生峰。对于 70 eV 的电子冲击能量, 36 Ar ++ 的典型水平为 350 ppm。因此,如果你想在基于 Ar 的溅射系统中检测 ppm 的水,你必须解决两个问题:传感器排气的背景干扰和 36 Ar ++ 在 m/e 18 的干扰。一个彻底的烘烤可以减少背景水对低几十 ppm 水平的贡献,但消除 36 Ar ++ 干扰需要使用几种技巧。一些制造商只是选择监测 m/e 17 峰值。对于 70 eV 的电离电子,这个峰在 18 amu 时比主峰小4 倍。这导致了对水的检测的灵敏度的显著降低。它还增加了丰度灵敏度的问题,同时试图测量质量 17 的强度旁边的一个大的 36 Ar ++ 峰在 18 amu。一个更好的选择(也是推荐给具有可编程电离发生器电压的 RGAs 的选择)是在电子冲击能量降低到小于 40 eV 时操作电离发生器。这个电离能低于 Ar ++ 的外观势(43.5 eV)。例如,在操作35 eV 电子的 RGA 时,由于 Ar ++ ,质量为 18、19 和 20 的峰值消失,这是在 36、38 和 40 amu 的Ar + 检测灵敏度降低最小的情况下实现的。不同的电子电离能通常用于选择性地电离气体混合物中的物质。从一般的质谱文献中可以很容易地得到许多不同气体的电离势表。电子能量的减少通常会给灯丝带来额外的工作负荷,并可能减少其寿命。然而,减少的干扰效应抵消了灯丝更换的额外成本。封闭离子源(CIS)在需要测量 10 4 和 10 2 Torr 之间的压力的应用中,通过用封闭离子源(CIS)采样系统取代传统的 OIS PPR 配置,可以显著减少背景和工艺气体干扰的问题。一个通用的 CIS 设置的横截面如图 3 所示。CIS 电离器位于四极质量滤波器的顶部,取代了传统 RGA 中更传统的 OIS。它由一个短的气密管组成,两个非常小的电子和离子的出口。电子通过一个小尺寸的入口狭缝进入电离区。离子在靠近一个提取板处形成并被吸引,并通过一个小直径的圆孔离开电离器。氧化铝环密封管从四极质量组件的其余部分,并为偏置电极提供电绝缘。离子是由电子在过程压力下的直接撞击产生的。与 PPR 系统中使用的泵送系统类似,使灯丝和四极组件的其余部分保持在压力在 10 5 Torr 以下(20 个数量级的减压)。该设计非常简单,在被四极杆气相分析仪采用之前,已成功地应用于气相色谱质谱仪器多年。大多数商业上可用的 CIS 系统被设计为在 10 2 和 10 11 Torr 之间运行,并在10 4 和 10 2 Torr 之间的工艺压力的整个质量范围内提供 ppm 级的可检测性。图 3:CIS 的原理图PPR 和 CIS 系统之间的差异在选择最适合特定工艺应用程序的传感器设置时,了解 CIS 设置和更传统的基于 OIS RGA 的PPR 之间的性能差异是必不可少的。工艺工程师在为其应用程序选择分析仪配置之前,应仔细权衡所有差异。直接抽样CIS 阳极可以看作是一个直接连接到工艺室的高电导管。电离区中的压力与工艺室中的压力基本相同。CIS 电离器在过程压力下直接通过电子冲击产生离子,而质谱分析仪的其余部分和灯丝保持在高真空条件下。直接采样提供了良好的灵敏度(由于可用的大离子密度)和快速的响应时间。“记忆效应”,通常与压力降低和电导孔有关,是显著减少的。此外,由于不同气体分子通过 PPR 孔径的分子量依赖性扩散系数而引起的分馏效应也不存在。信号与背景比由于 CIS 中的采样压力通常比传感器线 倍,因此相对于 OIS PPR 系统,信号-背景比显著增加。在测量诸如水等常见的残留气体时,这一点尤为重要。为了说明这一点,我们回到 10 2 TorrAr 溅射过程中的水测量例子。Ar 气体在 10 2 Torr 处直接电离(比 OIS PPR 高出三个数量级!)但在相同的背景下(10 9 Torr)的剩余水。这个剩余的水信号现在对应于 CIS 系统中水的100 ppb MDPP 水平。这是一个相当改进的 OIS PPR 性能!直接取样和差分泵送的结合为即使是最普遍的残留气体提供了 ppm 和亚 ppm 检测极限的潜力。对于其他常见的干扰,如有机污染物或灯丝的反应副产品,源的气密设计降低了电离区域的可见性,这些气体提供一个非常干净的残留气体质谱,避免了 OIS PPR 设置中许多质谱重叠。由 ESD 产生的污染物的干扰在 CIS 中也减少了,因为一个要小得多的电子束穿透电离网。此外,大多数市售的 CIS 的内壁都涂有高度惰性的材料,如金、铂包层和纯钼,它们比不锈钢吸附更少的杂质。CIS 能够直接在 mTorr 范围内取样气体,并在其整个质量范围内提供 ppm 级检测,这使得 CIS系统成为半导体处理应用的首选仪器,如 PVD、CVD 和蚀刻。离子发生器污染在 OIS PPR 体系中,在灯丝上发生热裂化或化学反应的样品分子可以自由地漂移到电离区。这是电子冲击电离器的表面污染物的一个非常重要的来源。相比之下,CIS 的气密性设计降低了气体源对这些污染物气体的可见性,减少了污染和更好的长期稳定性。大多数 CIS 制造商在他们的系统中专门使用钨丝。W 可以抵抗许多腐蚀性气体(如 WF 6 )和活性气体(如硅烷),最大限度地减少在灯丝上的反应,也可以延长灯丝的寿命。多用途当与一个工艺适当匹配时,OIS PPR 和 CIS 系统都是非常通用的仪器,在整个气相过程中提供关键的信息。装有双路径气体入口的 PPR 系统,可以毫不费力地切换高\低电导率,从高灵敏度的RGA 操作模式切换到过程监测模式。通过简单地改变一些传感器的电离参数。CIS 气体分析仪,即使不像 RGA 那样敏感,也可以处理工艺室中需要的大多数残余气体分析和泄漏检查测试。由于电子入口和离子出口的空穴非常小,CIS 的灵敏度降低。然而,在大多数情况下,在比 RGA 更高的增益水平上运行电子倍增器弥补了灵敏度的降低。典型 MDPP 值的 CIS 系统,配备了一个可选的电子倍增器,并在 RGA 模式下运行,是在 10 11 Torr 左右。这比在 RGA 模式下打开 Hi-C 采样路径下操作的 PPRs 可以实现的 MDPP 值高出大约 20 倍。CIS 电离器也可以重新配置,用于在线工艺监测和控制,并在使用点验证工艺气体的纯度。在残余气体分析过程中提高电子发射电流以提高灵敏度,在过程监测过程中降低电子发射电流,以避免在较高压力下电离体积中的空间电荷饱和效应。CIS 的紧密设计使得在较低的电子电离能下操作电离器成为可能。大多数商用的 CIS 系统提供至少两个 70 和 35 eV 的电子能量设置。70 eV 设置主要用于泄漏测试和常规气体分析。收集到的质谱与用标准 RGA 获得的质谱几乎相同。在过程监测中使用 35 eV 设置,以消除过程气体干扰峰值。低能量模式的一个常见应用是消除双电离的 36 Ar ++ 峰,该峰干扰了溅射过程中 18 amu 处的水检测。具有用户可编程电离器电压的 CIS 系统提供了最高的通用性,因为它们可以被配置为通过仔细调整电子冲击能量来选择性地在气体混合物中的电离物质。使用 CIS 气体分析仪进行高压采样CIS 分析仪可以直接取样气体高达约 10 2 Torr 压力水平。压力上限是由离子中性碰撞的平均自由程的减少来设定的,这种碰撞发生在较高的压力下,并导致离子的显著散射和灵敏度的降低。然而,操作并不局限于对压力低于 10 2 Torr 时的气体进行分析。更高的气体压力可以通过分压进气系统(PPR)来取样,就像它用传统的 RGAs 所做的一样。一个与 CIS 分析仪的电导率相匹配的减压气体入口系统,将允许传感器采样高达 10 Torr 的气体压力。在 PPR 系统的情况下,所付出的代价是降低采样速度,在样品入口的气体混合物的分流,以及在电离器上可能产生的记忆效应。对于压力大于 10 Torr 的情况,进入封闭电离器的气体流量变得非常小,而且时间响应对于任何实际测量来说都太慢。在这些情况下,一个旁路泵浦气体采样系统,具有更大的毛细管流速和更快的响应,是一个比单一的限制进入 CIS 电离器更好的选择。结论任何真空处理装置都可以受益于一个四极杆气体分析仪。要很好地了解影响目前不同的四极气体分析系统性能的不同因素,是为任何应用选择最佳传感器配置的重要工具。四极杆气体取样系统可以从几个不同的制造商获得,通常很难决定哪一个构成了一个工艺的最佳匹配。在大多数情况下,有不止一种方法来设置测量,而且每个选择都涉及到妥协。更好地理解可用选项之间的基本差异,可以使问题最小化,并使生产力最大化。随着四极杆气体分析仪变得越来越便宜,它们将在所有需要严格控制过程气体污染水平的行业中成为普遍现象。

  在科研探索的征途中,北京卓立汉光仪器有限公司深感荣幸能与西安交通大学电子科学与工程学院司金海教授及闫理贺教授团队并肩前行。经过他们多年的潜心钻研,团队在稳定超连续白光探测光产生、啁啾脉冲压缩以及微区弱信号高灵敏度检测等关键领域取得了令人瞩目的突破,并成功研发出飞秒时间分辨瞬态吸收光谱显微测量系统,这一成就不仅标志着我国在该领域的技术领先,更为科研界注入了新的活力。为了回馈科研界的支持与厚爱,并助力更多科研工作者深入了解与高效利用这一先进设备,司金海教授与闫理贺教授团队决定在特定时段内,为校内外用户提供免费的测样服务。作为长期以来的友好合作伙伴,卓立汉光深感自豪并全力支持这一举措。我们诚邀广大科研工作者把握此次难得的机会,通过西安交通大学大型仪器设备物联共享系统平台轻松预约测试,亲身体验这一尖端技术的魅力。我们相信,此次免费测样服务不仅将为广大科研者带来前所未有的研究体验,更将激发新的科研灵感,助力科研成果的突破与转化。飞秒时间分辨瞬态吸收光谱显微测量与成像系统瞬态吸收和超快荧光光谱技术已被广泛应用于光物理和光化学动力学研究,为新材料及其器件设计提供了参考依据。目前瞬态吸收光谱技术时空分辨率一般在百余飞秒和数微米量级,无法用于观测特定微区内或光激发百飞秒内发生的载流子动力学过程。为此,课题组提出研制的超高时空分辨白光泵浦-探测瞬态吸收和超快荧光光谱显微成像系统,可用于光电功能材料与器件中异质结界面等特定微区带隙重整等超快动力学过程研究,具有重要科学意义和应用价值。该研究获2021年国家自然科学基金重大科研仪器研制项目立项资助。课题组经过多年潜心研究,在稳定超连续白光探测光的产生、啁啾超连续白光脉冲压缩、泵浦光与探测光的极限聚焦匹配的关键科学与技术问题研究方面取得突破进展,为仪器的时间-空间分辨率和灵敏度等性能指标的提升提供了保障。目前,瞬态吸收光谱测量的时间和空间分辨率分别优于为30fs和300nm、灵敏度优于0.1mOD,各项核心技术指标处于国内外同类仪器的领先水平。图1 飞秒时间分辨瞬态吸收光谱显微测量系统硬件与测试软件高时-空分辨瞬态吸收光谱测量系统的应用案例课题组利用高时-空分辨微区瞬态吸收光谱测试系统研究了钙钛矿单晶薄膜中的光生载流子动力学。将飞秒时间分辨瞬态吸收与显微成像技术相结合,成功探测到钙钛矿单晶薄膜不同微区的瞬态吸收信号。通过对瞬态吸收光谱进行全局拟合分析,探明了包括热载流子冷却、缺陷态捕获和载流子复合等超快动力学过程,并揭示了边界处由浓度较高的缺陷态引起的激发态吸收现象。(Journal of Materials Chemistry C, 11, 3736-3742 (2023). [封面论文])图2 单晶钙钛矿薄膜内部区域的瞬态吸收光谱利用高时-空分辨微区瞬态吸收光谱测试系统,研究了聚合物太阳能电池(Polymer Solar Cells, PSCs)中引入强偶极矩添加剂(OFIB)对其活性层(PM6:L8BO)的形貌调控、分子堆积以及光电转换效率的影响及其光物理机制。通过飞秒瞬态吸收光谱测量探明了OFIB添加剂对活性层中光生激子的扩散及复合行为的超快动力学过程的影响,通过奇异值分解和全局拟合得到体系中主要存在的三个光物理过程:激子产生(EX),电荷转移态(CTS)以及电荷分离态(CS)。与未使用添加剂调控的活性层相比,OFIB调控的聚合物活性层中的光生激子具有更长的电荷转移态寿命,复合几率减小,有利于激子在给受体界面分离,因此器件光电响应过程中可产生更高的电荷分离态产率和光电转换效率。优化后的器件表征结果证明,使用OFIB添加剂处理的PSCs实现了18.38%的光电转换效率,相较于未使用添加剂处理的器件性能显著提升了17%。(ACS Applied Materials & Interfaces, 14(5), 6945-6957 (2022);Advanced Functional Materials, 34, 2310312 (2023).)图3. 聚合物太阳电池材料PM6:L8BO和PM6:L8BO+OFIB薄膜的超快动力学表征。结合飞秒时间门选通荧光显微成像系统,课题组首次观测了微盘激光的时空演化过程,揭示了器件受激发射过程中光生载流子对其增益光谱、谐振模式等特性的影响机制,探明了激射超快过程的空间分布规律,发现了由于微腔侧壁结构缺陷导致的不同位置处激射动力学的差异,进一步提出通过构建2D/3D复合材料体系调控热载流子弛豫过程压缩激光线宽的策略。(Laser & Photonics Reviews, 2300533 (2023);Advanced Optical Materials,12, 2400189 (2024).)图4. 钙钛矿单晶微腔激射动力学研究仪器推广与合作目前该仪器样机已在纳入西安交通大学大型仪器设备物联共享系统,校内外用户可通过平台预约测试,目前已为校内和十余家校外单位提供测试服务,合作研究成果相继在Advanced Materials、Angewandte Chemie等顶级期刊发表高水平学术论文。图5 西安交通大学大型仪器设备物联共享系统西安交通大学飞秒激光与超快光子技术科研团队闫理贺教授来自西安交通大学电子科学与工程学院司金海教授团队,课题组多年来致力于超快非线性光学与超快光子技术、飞秒激光微纳加工技术等方面研究。闫理贺教授主要从事超高时-空分辨瞬态光谱技术、光电功能材料超快光物理响应机制研究等工作,致力于开发兼具有高时-空分辨率和高灵敏度的瞬态吸收光谱测量系统,并探索相关科研仪器在光电功能材料与器件研究中推广和应用,以第一/通讯作者身份先后在Advanced Functional Materials、Laser & Photonics Reviews、Applied Physics Letters、Optics Letters、Optics Express 等学术期刊发表SCI论文60余篇。图 西安交通大学司金海教授团队实验室平台建设

  光学斩波器相位抖动特性分析摘要:光学斩波器用于向光源引入稳定的调制。该调制的稳定性可以通过抖动来表征,既斩波波形的边沿时序相对于理想时钟的变化。抖动可以以时间(秒)或相位(度)为单位表示,因此有时称为“周期抖动”或“相位抖动”。在本技术说明中,我们定义了光学斩波实验背景下的抖动,并提供了使用该定义的测量协议和结果。引言:顾名思义,光学斩波器用于将连续波光源转换为用户定义频率的斩波波形。斩波周期的变化称为抖动。通常,斩波周期的高度可重复性至关重要,因此抖动是光学斩波器的关键品质因数。因此,了解如何测量抖动对于比较光斩波器产品至关重要。  通过直观的例子来理解抖动是最容易的。考虑将光学斩波器锁定到稳定的外部参考频率[1],并将外部参考和斩波的光学信号馈送到示波器。将示波器配置为在稳定参考的边沿触发,通过显示具有持久性的波形,可以很容易地看到抖动如何影响斩波信号:光信号的抖动将导致其边沿模糊,如图1所示。图 1:使用示波器可看到抖动。斩波信号边沿将“抹掉”以周期抖动 σT 为特征的时序分布XK星空体育。通过理想或平均周期 〈T 〉 标准化,可以将其转换为相位(单位:°)。如果测量 N 个周期,抖动表示各个测量值 Ti 相对于其平均值 〈T 〉的分布,以峰峰值或 RMS(均方根)表示:平均抖动可以用秒或度来表示:抖动特征的时间尺度是多少;即应该收集多少个周期?一般来说,我们选择的时间尺度足够长,以便达到抖动的稳定值,但又不能太长,以免斩波器内部计时的长期频率漂移变得明显。在实践中,这通常相当于几十秒到几分钟的数据收集时间尺度,这取决于斩波频率(N在几百到几万的量级上)。机械相位还是光学相位?由于光学斩波器依赖于机械旋转叶片,每次机械旋转都会产生多个光学周期,因此已发布的斩波器规范中关于抖动单位的规定存在一些含糊之处:我们是在讨论机械相位还是光学相位?  具有 n 个槽的光学斩波轮每机械旋转 360°,将前进 n×360°opt(光学角度)。我们将这些单位指定为光学度数 (°opt) 和机械度数 (°mech)。图 2 显示了 6 槽叶片的区别。图2:6槽斩波器叶片的光学相位和机械相位之间的关系。以机械角度表示抖动可以使测量结果看起来更有利 n 倍。例如,1°mech 的抖动对于 6 槽叶片来说是 6°opt,对于 100 槽叶片来说是 100°opt。然而,光学斩波器用户对叶片的机械方向不太感兴趣,因为理想情况下,所有 n 个槽都是相同的。换句话说,旋转机械斩波器只是用于调制光源的许多方法中的一种XK星空体育,并且抖动规格及其单位应该与该方法无关。抖动的来源:机械斩波器的光学抖动有多种因素,定义和讨论如下。1. 电机速度稳定性:当转子上施加非零扭矩时,斩波电机的速度会发生变化。这些扭矩本质上是随机的或者说是确定性的,并且随着每一次机械旋转而重复。电机的闭环控制,如SR542所实现的,调整电机驱动以保持固定速度,从而补偿这些扭矩。然而,控制回路的增益和带宽是有限的,所以总是有一些残留和时变误差。随机扭矩产生相位误差,可以合理地描述为正态分布的噪声,而确定性误差在   Φshaft 轴上出现重复。电动机中确定性扭矩的一个特别明显的来源被称为齿槽扭矩,该术语旨在唤起诸如滴答作响的时钟之类的有齿装置的离散旋转步骤。齿槽转矩取决于转子的角取向,即转子轴,并且将以随着每次机械旋转而重复的模式来调节轴速度。对于直流电动机,齿槽效应是由于转子和定子之间的磁力变化而产生的。齿槽效应在直流步进电机中非常明显,在典型的开槽无刷直流电机中也存在。  相比之下,SR542 中使用的无槽无刷直流电机旨在最大限度地减少转子-定子相互作用力的变化,从而提供均匀的旋转扭矩。然而,完全消除齿槽效应具有挑战性,特别是在低速情况下。在较高速度下,转子的惯性往往会平滑由任何齿槽扭矩引起的加速度。2. 叶片缺陷:由于任何真实世界的制造过程,斩波器叶片的孔径位置和宽度都会与理想值存在微小偏差(其中理想值由完美对称给出:相似边缘之间的角间距应为360°机械/n)。如果孔径之间的偏差不同,则会导致光学抖动。然而,这种抖动是确定性的,每次机械旋转都会重复。同时,均匀影响所有孔径的系统偏差(例如光蚀刻叶片的蚀刻过度或蚀刻不足)将显示为占空比中的误差。这些缺陷可以被认为是叶片的指纹,每个叶片都是独一无二的。3. 叶片同心度:如果叶片未与电机轴(旋转轴)同心安装,则当其移动时经过用户光束点时,线性槽速度将随平均值呈正弦变化,从而调制 f 轴处的光周期。叶片同心度可以通过轴、轮毂和斩波叶片之间严格的机械公差来优化。叶片翘曲和平面外倾也会导致  Φ 轴产生确定性周期误差,因此小心处理斩波器叶片以使其保持平整非常重要。测量和结果:为了评估上述每种效应对斩波器抖动的影响,我们收集了 N 个周期的光信号,并将测量的周期绘制为时间的函数,以及所有测量值的直方图。 我们不是以周期为单位绘制(秒),我们是以光学相位(°opt)为单位进行绘制。每个测量周期 Ti 均转换为相位误差 δ

  i,如下所示其中,T是所有N次测量的平均周期。相位抖动只是 N 个相位误差测量的 RMS 值,并可视化为相位误差直方图的宽度。图 3 为设定点斩波频率为 1 Hz 的 5 槽叶片的周期误差与时间的关系示例。原始周期测量与时间的关系如图 3a 所示。在图 3b 中,所有测量的周期误差都被收集到直方图中。所有周期测量值的直方图分布宽度(蓝色轮廓),以平均值的标准差 (σ) 为特征,为 0.359°opt。该分布包括上面讨论的所有抖动源,并代表以 1 Hz 运行的典型斩波实验会经历的抖动。(图3a左侧)周期误差与时间。数据点根据其槽号进行颜色编码(即每5个数据点为相同颜色)。对数据进行正弦拟合,频率等于轴频率(fchop/5),作为眼睛的引导,以突出对相位误差的确定性贡献。仅显示采集数据的前10次机械旋转。(图3b右侧)来自图3a的直方图数据。颜色编码与来自图3a的颜色编码匹配。计算“所有槽”和单个槽的σ值,并将其报告为与平均相位误差的RMS偏差。对于 n 槽叶片,每第 n 个周期测量都是对同一槽的重复测量。因此,我们为与该叶片的 5 个槽相对应的周期测量值分配不同的颜色。以槽 1 为例(绿色)。它的平均周期误差约为0.65°opt。这意味着标记槽位 1 周期结束的边缘比预期早 0.65°opt。非确定性抖动将绿色分布的宽度设置为仅为 0.070°opt,因此相位误差从一转到另一转的再现性非常好,并且由确定性误差主导。简单地说,对于单个槽位,相位误差的确定性源确定平均值,而非确定性源确定抖动(标准偏差)。  在图 3a 中,提供了 f轴 处的正弦曲线 槽叶片在这种低斩波频率下的大部分“全槽” 光学抖动可归因于相位误差的确定性来源。从数量上看,“全槽”抖动比“单槽位”平均值大近六倍。然而,归根结底,典型的斩波器实验对所有抖动贡献的总和很敏感,重要的指标是“全槽”抖动。只有当用户可以将光学快门布置成每第n个光学周期通过一次时,他们才能利用由“单槽位”相位误差分布 所示的优异可重复性。  请注意,确定性并不一定意味着正弦曲线。虽然安装同心度会带来与 Φ 轴呈正弦曲线的周期误差,但叶片缺陷会引入槽与槽之间的随机周期误差(每次机械旋转都会重复,但不一定是正弦曲线)。根据经验,我们发现齿槽误差通常以 sin( Φ轴) 或 sin(2 Φ轴) 形式出现,但这取决于斩波电机的结构。接下来让我们看看相位误差测量值随斩波频率的变化。同心度和叶片缺陷将导致与频率无关的相位误差,因为它们只取决于几何形状。然而,齿槽误差将在更高的速度下减小,因为位置相关的齿槽加速度将具有更少的时间来改变旋转轴的速度。因此,通过考虑周期误差测量的频率依赖性,可以对确定性贡献进行一些分离。(图4a) 相位误差与时间的关系。          (图4b) 相位误差直方图。图 4:fchop = 100 Hz 时 SR542 5 槽叶片的相位误差测量。图 4 显示了相同的 5 槽斩波叶片,其运行速度提高了 100 倍,其中 fchop = 100 Hz。与图 3 相比(为了便于比较,保留了 y 轴比例),很容易看出在较高轴速度下增加角动量的有益效果:f轴 处正弦调制的总体幅度减小,并且每个槽的“单槽”变化大大减少。在此速度下,转子的惯性“平滑”了齿槽扭矩,剩余的正弦相位误差可能是由于叶片安装位置的较小同心度误差造成的。 同时,在直方图(图 4b) 中看到窄峰表明出色的电机速度控制。请注意,槽 1 和 2(绿色和红色)彼此重叠,因此仅分辨了 4 个峰。此外,没有方法可以保证每次试验中的槽位都是相同的,因此图 4 中的槽位 0 不一定与图 3 中的槽位相同。(图5a) 相位误差与时间的关系。    (图5a) 相位误差与时间的关系。图 5:fchop = 600 Hz 时 SR542 30 槽叶片的相位误差测量。图 5 显示了 30 槽频率为600Hz的相位误差和抖动,在与图 4 相同的轴速度 f轴 = 20 Hz 下获得,齿槽效应被很大程度上抑制,并且周期的正弦变化可能是由于同心度误差造成的(注意与图 4 类似的正弦幅度)。然而,相位误差模式不再主要是正弦曲线。我们继续提供正弦拟合,因为(1)它有助于识别同心度误差,(2)它可以作为 Φshaft 的参考,强调相位误差相对于轴方向的重复性。正弦残差(减去正弦拟合后剩余的相位误差)包含来自叶片缺陷(在某种程度上,这些缺陷是随机的而不是正弦本身)和将高斯噪声与该指纹卷积的随机误差的确定性贡献。颜色编码使得很容易看到相位误差图案(“指纹”),其随着每次机械旋转而高度重复。抖动与频率:5 槽、10 槽、30 槽和 100 槽斩波叶片的抖动数据与斩波频率的函数关系如图 6 所示。圆圈表示“所有槽”RMS 抖动,而三角形表示平均值。每个斩波频率处的 n 个“单槽”抖动值。这些图中还显示了每个斩波器叶片的已发布抖动规格(虚线:RMS相位误差与频率的关系。抖动与叶片和频率相关,但这些图中确实出现了一些总体趋势。在低速下,小力(随机的和确定性的,即齿槽效应)会对相位误差产生很大的影。

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